院生（M2）

冨江　晃弘

出身地：転勤族だったので転々と・・・

　　　　主に福岡県北九州市。実家は滋賀県。

経歴：2005年　福岡県立八幡南高等学校　卒業

2005年 九州工業大学工学部　電気工学科　入学

　　　2009年　九州工業大学工学部　電気工学科　卒業

2009年　九州工業大学大学院工学府　先端機能システム工学専攻　入学

卒業論文：「MgZnOエピタキシャル膜成長に関する研究」

研究テーマ：「ZnOを用いた透明電子デバイス作製に関する研究」

学会発表：つくば応用物理学会「NおよびCuによるCo-dopingを用いたｐ型ZnOエピタキシャル膜の形成」

性格：あんまり俊敏に動かない。ゆっくりまったり・・・

趣味：寝るのは気持ちいいですね。

　　　デジカメを買ってから、写真を撮るのが楽しくなってきました。

ちなみに、航空部員です。グライダーで大空を飛ぶのは楽しいですよ！

一言：もう、M２になりました。残りの学生生活をゆる〜く楽しみたいと思います。

　　　あと、恥ずかしながら今年のスローガンを考えさせて頂きました。

　　　今年の中尾研は、遊びや研究活動など様々なことに妥協することなく、

　　　何事にも興味関心を持って、学生生活を全力で楽しめるようにしたいと思います！